ICS651MI
数据手册.pdf
Integrated Device Technology
艾迪悌
主动器件
ICS651MI中文资料参数规格
技术参数
电路数 1
电源电压 1.425V ~ 2.625V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ICS651MI引脚图与封装图
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在线购买ICS651MI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ICS651MI | Integrated Device Technology 艾迪悌 | Clock Fanout Buffer 4Out 8Pin SOIC N Tube | 搜索库存 |
替代型号ICS651MI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ICS651MI 品牌： Integrated Device Technology 艾迪悌 封装： 8-SOIC | 当前型号 | Clock Fanout Buffer 4Out 8Pin SOIC N Tube | 当前型号 |
| 型号： 651MILF 品牌： 艾迪悌 封装： SOIC 8Pin | 完全替代 | Clock Fanout Buffer 4Out 8Pin SOIC N Tube | ICS651MI和651MILF的区别 |