IXGN60N60C2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGN60N60C2中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 4.75nF @25V
额定功率Max 480 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGN60N60C2引脚图与封装图
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在线购买IXGN60N60C2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGN60N60C2 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 4Pin SOT-227B | 搜索库存 |
替代型号IXGN60N60C2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGN60N60C2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 4Pin SOT-227B | 当前型号 |
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