IXGN80N60A2D1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGN80N60A2D1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 625 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGN80N60A2D1引脚图与封装图
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在线购买IXGN80N60A2D1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGN80N60A2D1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 4Pin SOT-227B | 搜索库存 |
替代型号IXGN80N60A2D1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGN80N60A2D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 4Pin SOT-227B | 当前型号 |
| 型号： IXGN120N60A3D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 | 类似代替 | IXGN120N60A3D1 系列 600 V 200 A GENX3 IGBT 表面贴装 - SOT-227B | IXGN80N60A2D1和IXGN120N60A3D1的区别 |