IXSN35N120AU1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXSN35N120AU1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 3.9nF @25V
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXSN35N120AU1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXSN35N120AU1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXSN35N120AU1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 300000mW 4Pin SOT-227B | 搜索库存 |
替代型号IXSN35N120AU1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXSN35N120AU1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 300000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 300000mW 4Pin SOT-227B | 当前型号 |
| 型号： IXDR30N120D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247AD 200000mW | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚 | IXSN35N120AU1和IXDR30N120D1的区别 |