IXGN50N60BD2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGN50N60BD2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 4.1nF @25V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGN50N60BD2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGN50N60BD2 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 150000mW 4Pin SOT-227B | 搜索库存 |