IRG6I320UPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 330V 24A 39000mW 3Pin3+Tab TO-220AB

IGBT Trench 330V 24A 39W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 330V 24A 39W TO220ABFP

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 330V 24A 39000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 330V 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Win Source:
PDP TRENCCH IGBT

IRG6I320UPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 39000 mW

击穿电压集电极-发射极 330 V

额定功率Max 39 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 39000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.02 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRG6I320UPBF引脚图与封装图

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