IXGN60N60
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGN60N60中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 100 A
耗散功率 250000 mW
上升时间 30.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 4nF @25V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGN60N60引脚图与封装图
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