IRGS4055PBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 300V 110A 3Pin2+Tab D2PAK

IGBT 沟道 300 V 110 A 255 W 表面贴装型 D2PAK

得捷:
IGBT 300V 110A 255W D2PAK

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 300V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK

IRGS4055PBF中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 300 V

额定功率Max 255 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRGS4055PBF引脚图与封装图

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