IRG6I330U-111P

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 330V 28A 43000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak

IGBT 330V 28A 43W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 330V 28A 43000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 330V 28A 3-Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak

IRG6I330U-111P中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 43000 mW

击穿电压集电极-发射极 330 V

额定功率Max 43 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 43000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRG6I330U-111P引脚图与封装图

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