IRG6IC30UPBF

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 37000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak

IGBT 沟道通孔 TO-220AB 整包

得捷:
IGBT 600V 25A 37W TO220ABFP

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 37000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak

Win Source:
PDP TRENCH IGBT

IRG6IC30UPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 37000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 37 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 37000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.8 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRG6IC30UPBF引脚图与封装图

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