IXGN200N60B
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGN200N60B中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 600000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 11nF @25V
额定功率Max 600 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
宽度 25.42 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGN200N60B引脚图与封装图
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在线购买IXGN200N60B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGN200N60B | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 600000mW 4Pin SOT-227B | 搜索库存 |
替代型号IXGN200N60B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGN200N60B 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227 600000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 600000mW 4Pin SOT-227B | 当前型号 |
| 型号： IXGN200N60B3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 830000mW | 类似代替 | IXGN 系列 600 Vce 300 A 44 ns ton 中速 IGBT - SOT-227B | IXGN200N60B和IXGN200N60B3的区别 |
| 型号： STGE200NB60S 品牌： 意法半导体 封装： ISOTOP 600V 150A 600000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STGE200NB60S 单晶体管, IGBT, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚 | IXGN200N60B和STGE200NB60S的区别 |