IRG4PSH71UPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 99A 350000mW 3Pin3+Tab TO-274AA

IGBT - 1200 V 99 A 350 W 通孔 SUPER-247™（TO-274AA）

得捷:
IGBT 1200V 99A 350W SUPER247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 99A 350000mW 3-Pin3+Tab TO-274AA

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 99A 3-Pin3+Tab TO-274AA

IRG4PSH71UPBF中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 99.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 350000 mW

产品系列 IRG4PSH71U

上升时间 70.0 ns

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 350 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-274

外形尺寸

封装 TO-274

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRG4PSH71UPBF引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IRG4PSH71UPBF

型号	制造商	描述	购买
IRG4PSH71UPBF	Infineon 英飞凌	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 99A 350000mW 3Pin3+Tab TO-274AA	搜索库存