IRG6IC30U-110P

Infineon(英飞凌) 分立器件

IGBT 晶体管

IGBT 沟道通孔 TO-220AB 整包

得捷:
IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

贸泽:
IGBT Transistors

艾睿:
TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 25A 3-PIN3+TAB TO-220AB FULL-PAK

IRG6IC30U-110P中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 37 W

击穿电压集电极-发射极 330 V

额定功率Max 43 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRG6IC30U-110P引脚图与封装图

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