IRG4RC20FTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRG4RC20FTRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 66 W
耗散功率 66000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 66 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 66000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRG4RC20FTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRG4RC20FTRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4RC20FTRPBF | Infineon 英飞凌 | IRG4RC20FTRPBF 系列 600 V 12 A N 沟道 快速 IGBT - DPAK | 搜索库存 |
替代型号IRG4RC20FTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4RC20FTRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL 66000mW | 当前型号 | IRG4RC20FTRPBF 系列 600 V 12 A N 沟道 快速 IGBT - DPAK | 当前型号 |
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| 型号： IRG4RC20FTRLPBF 品牌： 英飞凌 封装： DPAK 66000mW | 完全替代 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 66000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | IRG4RC20FTRPBF和IRG4RC20FTRLPBF的区别 |
| 型号： IRG4RC20F 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 600V 22A | 完全替代 | IGBT 600V 22A 66W DPAK | IRG4RC20FTRPBF和IRG4RC20F的区别 |