IRGI4056DPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 34000mW 3Pin3+Tab TO-220FP

IGBT 沟道 600 V 18 A 34 W 通孔 TO-220AB 整包

得捷:
IGBT 600V 18A 34W TO220FP

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 34000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak

IRGI4056DPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 34000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 72 ns

额定功率Max 34 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 16 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRGI4056DPBF引脚图与封装图

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