IXSN55N120A

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 110A 4Pin SOT-227B

IGBT Module Single 1200V 110A 500W Chassis Mount SOT-227B

得捷:
IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 110A 4-Pin SOT-227B

IXSN55N120A中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 8nF @25V

额定功率Max 500 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXSN55N120A引脚图与封装图

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