锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRG6S320UPBF

IRG6S320UPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

IGBT 330V 50A 114W D2PAK

IGBT Trench 330V 50A 114W Surface Mount D2PAK


得捷:
IGBT 330V 50A 114W D2PAK


贸泽:
IGBT Transistors 330V 50A D2PAK


Win Source:
PDP TRENCH IGBT


IRG6S320UPBF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 114 W

击穿电压集电极-发射极 330 V

额定功率Max 114 W

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRG6S320UPBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRG6S320UPBF
型号 制造商 描述 购买
IRG6S320UPBF Infineon 英飞凌 IGBT 330V 50A 114W D2PAK 搜索库存