IRG7S313UTRLPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

IGBT 330V 40A 78W D2PAK

IGBT 沟道 330 V 40 A 78 W 表面贴装型 D2PAK

得捷:
IGBT PDP 330V 40A D2PAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 330V 40A 78000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
IGBT 330V 40A 78W D2PAK

IRG7S313UTRLPBF中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 330 V

额定功率Max 78 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 78000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IRG7S313UTRLPBF引脚图与封装图

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