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IRG6I330UPBF

IRG6I330UPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 330V 28A 3Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak

IGBT Trench 330V 28A 43W Through Hole TO-220AB Full-Pak


得捷:
IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 330V 28A 3-Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak


Win Source:
PDP TRENCH IGBT


IRG6I330UPBF中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 330 V

额定功率Max 43 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRG6I330UPBF引脚图与封装图
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IRG6I330UPBF Infineon 英飞凌 Trans IGBT Chip N-CH 330V 28A 3Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak 搜索库存