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IRG4IBC30S

IRG4IBC30S

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23.5A 3Pin3+Tab TO-220 Full-Pak

IGBT - 600 V 23.5 A 45 W 通孔 TO-220AB 整包


得捷:
IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23.5A 3-Pin 3+Tab TO-220 Full-Pak


IRG4IBC30S中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 23.5 A

额定功率 45 W

产品系列 IRG4IBC30S

上升时间 18.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 45 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRG4IBC30S引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRG4IBC30S Infineon 英飞凌 Trans IGBT Chip N-CH 600V 23.5A 3Pin3+Tab TO-220 Full-Pak 搜索库存
替代型号IRG4IBC30S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRG4IBC30S

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220 600V 23.5A

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23.5A 3Pin3+Tab TO-220 Full-Pak

当前型号

型号: IRG4IBC30SPBF

品牌: 英飞凌

封装: TO-220-3 45000mW

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