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IRG4BC30W
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin 3+Tab TO-220AB

IGBT - 通孔 TO-220AB


得捷:
IGBT 600V 23A 100W TO220AB


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin 3+Tab TO-220AB


IRG4BC30W中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 23.0 A

额定功率 100 W

产品系列 IRG4BC30W

上升时间 16.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRG4BC30W引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRG4BC30W Infineon 英飞凌 Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin 3+Tab TO-220AB 搜索库存
替代型号IRG4BC30W
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRG4BC30W

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220-3 600V 23A

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin 3+Tab TO-220AB

当前型号

型号: IRG4BC30WPBF

品牌: 英飞凌

封装: TO-220AB 100000mW

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