IRG4PSH71KD
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRG4PSH71KD中文资料参数规格
技术参数
额定功率 350 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 107 ns
额定功率Max 350 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-274
外形尺寸
封装 TO-274
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRG4PSH71KD引脚图与封装图
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在线购买IRG4PSH71KD
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4PSH71KD | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 78A 3Pin 3+Tab TO-274AA | 搜索库存 |
替代型号IRG4PSH71KD
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4PSH71KD 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-274AA | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 78A 3Pin 3+Tab TO-274AA | 当前型号 |
| 型号： IRGPS40B120UD 品牌： 英飞凌 封装： TO-274AA 595000mW | 完全替代 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 595000mW 3Pin3+Tab TO-274AA Tube | IRG4PSH71KD和IRGPS40B120UD的区别 |
| 型号： IRG4PSH71KDPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-274AA 350000mW | 类似代替 | INFINEON IRG4PSH71KDPBF 单晶体管, IGBT, 78 A, 3.9 V, 350 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚 | IRG4PSH71KD和IRG4PSH71KDPBF的区别 |
| 型号： IKW40T120 品牌： 英飞凌 封装： TO-247-3 270W | 功能相似 | INFINEON IKW40T120 单晶体管, IGBT, 通用, 75 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚 | IRG4PSH71KD和IKW40T120的区别 |