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IRG4BC20FD-S

IRG4BC20FD-S

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin2+Tab D2PAK

IGBT - 表面贴装型 D2PAK


得捷:
IGBT 600V 16A 60W D2PAK


Win Source:
IGBT 600V 16A 60W D2PAK


IRG4BC20FD-S中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 37 ns

额定功率Max 60 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRG4BC20FD-S引脚图与封装图
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IRG4BC20FD-S Infineon 英飞凌 Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin2+Tab D2PAK 搜索库存