额定功率 350 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 82 ns
额定功率Max 350 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-274
封装 TO-274
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRG4PSC71KD | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 85A 3Pin 3+Tab TO-274AA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRG4PSC71KD 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-274AA | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 85A 3Pin 3+Tab TO-274AA | 当前型号 | |
型号: IRG4PSC71UDPBF 品牌: 英飞凌 封装: TO-274AA 350000mW | 类似代替 | INFINEON IRG4PSC71UDPBF 单晶体管, IGBT, 85 A, 1.95 V, 350 W, 600 V, TO-274AA, 3 引脚 | IRG4PSC71KD和IRG4PSC71UDPBF的区别 | |
型号: IRG4PSC71KDPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL 350000mW | 类似代替 | INFINEON IRG4PSC71KDPBF 单晶体管, IGBT, 85 A, 2.3 V, 350 W, 600 V, TO-274AA, 3 引脚 | IRG4PSC71KD和IRG4PSC71KDPBF的区别 |