IXGX35N120CD1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 60 ns
额定功率Max 350 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXGX35N120CD1 | IXYS Semiconductor | IGBT 1200V 70A 350W PLUS247 | 搜索库存 |