IRG4PH30K
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
额定功率 100 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 100 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRG4PH30K | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 20A 3Pin3+Tab TO-247AC | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRG4PH30K 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-247-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 20A 3Pin3+Tab TO-247AC | 当前型号 | |
型号: IRG4PH30KPBF 品牌: 英飞凌 封装: TO-247AC 100000mW | 完全替代 | INFINEON IRG4PH30KPBF 单晶体管, IGBT, 20 A, 3.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚 | IRG4PH30K和IRG4PH30KPBF的区别 |