IRG4BC30F
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRG4BC30F中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 31.0 A
额定功率 100 W
耗散功率 100 W
产品系列 IRG4BC30F
上升时间 15.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 100 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRG4BC30F引脚图与封装图
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在线购买IRG4BC30F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4BC30F | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin 3+Tab TO-220AB | 搜索库存 |
替代型号IRG4BC30F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4BC30F 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220-3 600V 31A 100W | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin 3+Tab TO-220AB | 当前型号 |
| 型号： IRG4BC30FPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-220AB 100000mW | 完全替代 | INFINEON IRG4BC30FPBF 单晶体管, IGBT, 31 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚 | IRG4BC30F和IRG4BC30FPBF的区别 |