IRG4IBC10UD
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IRG4IBC10UD中文资料参数规格
技术参数
额定功率 25 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 28 ns
额定功率Max 25 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRG4IBC10UD引脚图与封装图
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在线购买IRG4IBC10UD
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4IBC10UD | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.8A 3Pin 3+Tab TO-220 Full-Pak | 搜索库存 |
替代型号IRG4IBC10UD
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4IBC10UD 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.8A 3Pin 3+Tab TO-220 Full-Pak | 当前型号 |
| 型号： IRG4IBC10UDPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-3 25000mW | 完全替代 | Co-Pack IGBT 高达 20A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 IGBT 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。 | IRG4IBC10UD和IRG4IBC10UDPBF的区别 |