IXGR50N60A2U1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGR50N60A2U1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 ISOPLUS-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGR50N60A2U1引脚图与封装图
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在线购买IXGR50N60A2U1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGR50N60A2U1 | IXYS Semiconductor | IGBT 晶体管 50 Amps 600V | 搜索库存 |
替代型号IXGR50N60A2U1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGR50N60A2U1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS247 | 当前型号 | IGBT 晶体管 50 Amps 600V | 当前型号 |
| 型号： IXGR72N60A3H1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS247 200000mW | 完全替代 | IGBT 模块 Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode | IXGR50N60A2U1和IXGR72N60A3H1的区别 |