IXGH10N300

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 3000V 18A 100000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT - 通孔 TO-247AD（IXGH）

得捷:
IGBT 3000V 18A 100W TO247AD

贸泽:
IGBT Transistors Very High Voltage NPT IGBT; 3000V VCES

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 3000V 18A 100000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD

DeviceMart:
IGBT 3000V 18A 100W TO247AD

IXGH10N300中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 3000 V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXGH10N300引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXGH10N300

型号	制造商	描述	购买
IXGH10N300	IXYS Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 3000V 18A 100000mW 3Pin3+Tab TO-247AD	搜索库存