IRG4BH20K-L
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRG4BH20K-L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 11.0 A
额定功率 60 W
产品系列 IRG4BH20K-L
上升时间 26.0 ns
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 60 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRG4BH20K-L引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRG4BH20K-L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4BH20K-L | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 11A 3Pin 3+Tab TO-262 | 搜索库存 |
替代型号IRG4BH20K-L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4BH20K-L 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262-3 1.2kV 11A | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 11A 3Pin 3+Tab TO-262 | 当前型号 |
| 型号： IRG4BH20K-LPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL 60000mW | 完全替代 | INFINEON IRG4BH20K-LPBF 晶体管, IGBT, TO-220AB, 11A, 1200V | IRG4BH20K-L和IRG4BH20K-LPBF的区别 |