IXGH39N60BD1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH39N60BD1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 25 ns
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 200 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH39N60BD1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXGH39N60BD1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH39N60BD1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXGH39N60BD1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGH39N60BD1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
| 型号： IXGH48N60B3D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 300000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247 | IXGH39N60BD1和IXGH48N60B3D1的区别 |