IXSH24N60BD1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 25 ns
额定功率Max 150 W
耗散功率Max 150 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXSH24N60BD1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXSH24N60BD1 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 | |
型号: IXXH30N60B3D1 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 270000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247AD | IXSH24N60BD1和IXXH30N60B3D1的区别 |