IXGR39N60BD1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGR39N60BD1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 25 ns
额定功率Max 140 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
封装 ISOPLUS-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGR39N60BD1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXGR39N60BD1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGR39N60BD1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247 | 搜索库存 |
替代型号IXGR39N60BD1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGR39N60BD1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS247 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247 | 当前型号 |
| 型号： IXGR72N60B3H1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS247 200000mW | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 200000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247 | IXGR39N60BD1和IXGR72N60B3H1的区别 |