IXGP50N60C4
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXGP50N60C4 | IXYS Semiconductor | IGBT 600V 90A 300W TO220 | 搜索库存 |