IXGT20N60BD1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGT20N60BD1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 25 ns
额定功率Max 150 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGT20N60BD1引脚图与封装图
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在线购买IXGT20N60BD1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGT20N60BD1 | IXYS Semiconductor | IGBT 600V 40A 150W TO268 | 搜索库存 |
替代型号IXGT20N60BD1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGT20N60BD1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-3 | 当前型号 | IGBT 600V 40A 150W TO268 | 当前型号 |
| 型号： IXGT30N120B3D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-3 | 功能相似 | IGBT 分立，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | IXGT20N60BD1和IXGT30N120B3D1的区别 |