IXGR35N120C

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT - 1200 V 70 A 200 W 通孔 ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXGR35N120C中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGR35N120C引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXGR35N120C

型号	制造商	描述	购买
IXGR35N120C	IXYS Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247	搜索库存