IXGR12N60C

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT 600V 15A 55W Through Hole ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 600V 15A 55W ISOPLUS247

贸泽:
IGBT Transistors 15 Amps 600V 2.7 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXGR12N60C中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 55 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGR12N60C引脚图与封装图

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