IXGH25N100U1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH25N100U1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1000 V
反向恢复时间 50 ns
额定功率Max 200 W
耗散功率Max 200 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH25N100U1引脚图与封装图
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| IXGH25N100U1 | IXYS Semiconductor | IGBT 1000V 50A 200W TO247AD | 搜索库存 |