IXSR50N60B
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXSR50N60B中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
封装 ISOPLUS-247
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXSR50N60B引脚图与封装图
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在线购买IXSR50N60B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXSR50N60B | IXYS Semiconductor | TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2kV 70A 3Pin3+TAB ISOPLUS 247 | 搜索库存 |
替代型号IXSR50N60B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXSR50N60B 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS247 | 当前型号 | TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2kV 70A 3Pin3+TAB ISOPLUS 247 | 当前型号 |
| 型号： IXXH50N60B3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 类似代替 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A IC, 600V VBRCES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3Pin | IXSR50N60B和IXXH50N60B3的区别 |