IXGT20N60B
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGT20N60B中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 150 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGT20N60B引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGT20N60B | IXYS Semiconductor | IGBT 600V 40A 150W TO268 | 搜索库存 |