IXSH24N60

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin3+Tab TO-247

IGBT PT 600V 48A 150W Through Hole TO-247AD IXSH

得捷:
IGBT 600V 48A 150W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
IGBT 600V 48A 150W TO247

IXSH24N60中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXSH24N60引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXSH24N60

型号	制造商	描述	购买
IXSH24N60	IXYS Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin3+Tab TO-247	搜索库存