IXGL50N60BD1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGL50N60BD1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-264
外形尺寸
封装 ISOPLUS-264
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGL50N60BD1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXGL50N60BD1 | IXYS Semiconductor | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.7 V Rds | 搜索库存 |