IXGK50N60BD1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 300000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 50 ns
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXGK50N60BD1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-264AA | 搜索库存 |