IXSH25N120A

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT - 1200 V 50 A 200 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 1200V 50A 200W TO247AD

贸泽:
IGBT Transistors 50 Amps 1200V 4.0 Rds

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IGBT 1200V 50A 200W TO247AD

IXSH25N120A中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXSH25N120A引脚图与封装图

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