IXGC12N60CD1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 35 ns
额定功率Max 85 W
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-220
封装 ISOPLUS-220
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXGC12N60CD1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3Pin3+Tab ISOPLUS 220 | 搜索库存 |