IXSH35N140A
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXSH35N140A中文资料参数规格
技术参数
额定功率 300 W
耗散功率 300000 mW
击穿电压集电极-发射极 1400 V
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXSH35N140A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXSH35N140A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXSH35N140A | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1400V 70A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXSH35N140A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXSH35N140A 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 300000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1400V 70A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
| 型号： IXBH40N160 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 1.6kV 33A 350000mW | 类似代替 | N-沟道 1600 V 40 A 法兰安装 高压 BiMosFET - TO-247AD | IXSH35N140A和IXBH40N160的区别 |