IXGB75N60BD1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGB75N60BD1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 50 ns
额定功率Max 360 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
高度 26.59 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGB75N60BD1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGB75N60BD1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3Pin PLUS 264 | 搜索库存 |