IXSR35N120BD1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXSR35N120BD1中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN, N-Channel
耗散功率 250 W
上升时间 180 ns
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 40 ns
额定功率Max 250 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
封装 ISOPLUS-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXSR35N120BD1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXSR35N120BD1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247 | 搜索库存 |