IXGA90N33TC
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGA90N33TC中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 330 V
额定功率Max 200 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGA90N33TC引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXGA90N33TC | IXYS Semiconductor | IGBT 330V 90A 200W TO263AA | 搜索库存 |